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SA950B

工作电压(V):2-5

工作电流(mA):<10

工作温度范围(℃):-40~+85

发射功率(dBm):--

频率范围(MHZ):300-450

谐振:声表

省电关断模式:支持

认证:--

编码:内置MCU编码

封装:SOP8

备注:替代1527编码芯片

R25

封装:SOT23

类型:NPN

VCBO(V):20

VCEO(V):10

VEBO(V):1.5

ICM(mA):100

PT(W):0.365

Tj(℃):-40~150

Tstg(℃):-65~150

ft(GHZ):9

备注:具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性

ULN2001DS

VCE(V):50

VI(V):30

IC(mA):250

IOK(mA):1500

驱动:3通道

Topr(℃):-20~+85

Tstg(℃):-65~+165

备注:单片高电压、高电流的达林顿晶体管阵列集成电路

3357

封装:SOT-89

类型:NPN

VCBO(V):25

VCEO(V):15

VEBO(V):2.5

ICM(mA):200

PT(W):2

Tj(℃):-40~150

Tstg(℃):-65~150

ft(GHZ):8.5

备注:是BFQ591、BFG591、BFQ135、BFQ198的理想升级替代品

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